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    CPH58 Search Results

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    CPH58 Price and Stock

    Rochester Electronics LLC CPH5819-TL-E

    NCH+SBD 4V DRIVE SERIES
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    Rochester Electronics LLC CPH5871-TL-W

    3.5A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
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    Flip Electronics CPH5871-TL-W

    MOSFET N-CH 30V 3.5A 5CPH
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    onsemi CPH5871-TL-W

    MOSFET N-CH 30V 3.5A 5CPH
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    Avnet Americas CPH5871-TL-W Reel 0 Weeks, 2 Days 4,762
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    Rochester Electronics CPH5871-TL-W 3,000 1
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    Flip Electronics CPH5871-TL-W 12,000
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    Rochester Electronics LLC CPH5822-TL-E

    PCH+SBD 4V DRIVE SERIES
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    DigiKey CPH5822-TL-E Bulk 1,211
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    CPH58 Datasheets (40)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Curated Datasheet Type PDF
    CPH5801 Sanyo Semiconductor DC-DC converters Original PDF
    cph5802 Sanyo Semiconductor Original PDF
    CPH5802 Sanyo Semiconductor P-Channel Silicon MOSFET Original PDF
    cph5803 Sanyo Semiconductor Original PDF
    CPH5803 Sanyo Semiconductor N-Channel Silicon MOSFET Original PDF
    CPH5804 Sanyo Semiconductor CPH5804 Original PDF
    CPH5804 Sanyo Semiconductor MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode Original PDF
    CPH5805 Sanyo Semiconductor MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode Original PDF
    CPH5807 Sanyo Semiconductor Pch+SBD Original PDF
    CPH5808 Sanyo Semiconductor Nch+SBD Original PDF
    CPH5809 Sanyo Semiconductor Nch+SBD Original PDF
    CPH5810 Sanyo Semiconductor Pch+SBD Original PDF
    CPH5811 Sanyo Semiconductor DC / DC Converter Applications Original PDF
    CPH5812 Sanyo Semiconductor Pch+SBD Original PDF
    CPH5812 Sanyo Semiconductor MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET & SBD : Schottky Barrier Diode For DC / DC Converter Applications Original PDF
    CPH5813 Sanyo Semiconductor Pch+SBD Original PDF
    CPH5813 Sanyo Semiconductor Power, DC / DC Converter Applications Original PDF
    CPH5815 Sanyo Semiconductor Pch+SBD Original PDF
    CPH5818 Sanyo Semiconductor Pch+SBD Original PDF
    CPH5819 Sanyo Semiconductor Nch+SBD Original PDF

    CPH58 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    MCH3307

    Abstract: SBS004 ENN8235 2171A
    Text: CPH5838 Ordering number : ENN8235 CPH5838 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converters. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3307 and a Schottky Barrier Diode (SBS004)


    Original     		PDF CPH5838 ENN8235 MCH3307) SBS004) MCH3307 SBS004 ENN8235 2171A

    CPH5862

    Abstract: No abstract text available
    Text: CPH5862 注文コード No. N A 0 4 6 4 三洋半導体データシート N CPH5862 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。


    Original     		PDF CPH5862 1000mm2 82907PE TC-00000873 A0464-1/5 VG0383 ID00384 A0464-4/5 CPH5862

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: CPH5871 Ordering number : ENA1401A SANYO Semiconductors DATA SHEET MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5871 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package


    Original     		PDF CPH5871 ENA1401A A1401-7/7

    diode N1004

    Abstract: CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M TA-3787 74674
    Text: CPH5812 Ordering number : ENN7467A CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained in one package facilitating high-density mounting.


    Original     		PDF CPH5812 ENN7467A MCH3317) SBS010M) diode N1004 CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M TA-3787 74674

    7382

    Abstract: CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M
    Text: Ordering number : ENN7382 CPH5820 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5820 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3308 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2171


    Original     		PDF ENN7382 CPH5820 MCH3308) SBS006M) CPH5820] 7382 CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M

    CPH5815

    Abstract: MCH3317 SBS007M
    Text: Ordering number : ENN7381 CPH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5815 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5815] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET


    Original     		PDF ENN7381 CPH5815 CPH5815] MCH3317) SBS007M) CPH5815 MCH3317 SBS007M

    CPH5804

    Abstract: MCH3312 SBS006M IT03222
    Text: 注文コード No. N 6 9 8 0 CPH5804 No. N 6 9 8 0 62001 新 CPH5804 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ


    Original     		PDF CPH5804 MCH3312) SBS006M 600mm2 IT00633 IT00632 IT00634 IT00635 CPH5804 MCH3312 SBS006M IT03222

    74682

    Abstract: 74684 74685 CPH5813 MCH3318 SBS010M
    Text: 注文コード No. N 7 4 6 8 CPH5813 No. N 7 4 6 8 32803 新 CPH5813 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3318）とショットキバリアダイオード（SBS010M）を


    Original     		PDF CPH5813 MCH3318 SBS010M 600mm2 IT05881 IT05883 IT00625 IT00626 74682 74684 74685 CPH5813 MCH3318 SBS010M

    CPH5810

    Abstract: MCH3312
    Text: CPH5810 注文コード No. N 8 2 0 6 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5810 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3312）


    Original     		PDF CPH5810 MCH3312 SBS001 600mm2 12805PE TA-100105 IT09167 IT09166 CPH5810 MCH3312

    74674

    Abstract: CPH5812 MCH3317 SBS010M TA-3787
    Text: Ordering number : ENN7467 CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5812 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5812] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET


    Original     		PDF ENN7467 CPH5812 CPH5812] MCH3317) SBS010M) 74674 CPH5812 MCH3317 SBS010M TA-3787

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    Abstract: No abstract text available
    Text: CPH5822 Ordering number : ENN7702 CPH5822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General Purpose Switching Device Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)


    Original     		PDF ENN7702 CPH5822 MCH3312) SBS010M)

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    Abstract: No abstract text available
    Text: CPH5848 Ordering number : EN8690 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5848 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Applications • DC / DC converters. Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3306 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)


    Original     		PDF EN8690 CPH5848 MCH3306) SS10015M)

    77704

    Abstract: CPH5808 MCH3409 SBS004 77705 77701
    Text: CPH5808 注文コード No. N 7 7 7 0 三洋半導体データシート N CPH5808 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ


    Original     		PDF CPH5808 MCH3409) SBS004 600mm2 TA-100106 IT00624 IT00623 IT00622 77704 CPH5808 MCH3409 77705 77701

    CPH5809

    Abstract: MCH3411 SBS005
    Text: 注文コード No. N 7 2 6 7 CPH5809 三洋半導体データシート N MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5809 特長 DC / DC コンバータ用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチング , 低電圧駆動の N チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間


    Original     		PDF CPH5809 CPH5809 MCH3411 SBS005 600mm2 IT00627 IT04655 IT04640 IT00630 MCH3411 SBS005

    CPH5821

    Abstract: MCH3312 SBS004
    Text: CPH5821 注文コード No. N 7 7 0 1 三洋半導体データシート N CPH5821 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。


    Original     		PDF CPH5821 MCH3312) SBS004 600mm2 TA-100874 IT00622 IT00623 CPH5821 MCH3312

    TA-3808

    Abstract: CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M
    Text: 注文コード No. N 7 3 8 2 CPH5820 三洋半導体データシート N CPH5820 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ


    Original     		PDF CPH5820 MCH3308 SBS006M 600mm2 IT00633 IT00632 IT00634 IT00635 TA-3808 CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M

    CPH5831

    Abstract: MCH3406 SBS010M cph58
    Text: CPH5831 注文コード No. N 8 2 2 0 三洋半導体データシート N CPH5831 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用


    Original     		PDF CPH5831 MCH3406) SBS010M 600mm2 12805PE TA-100797 IT08545 IT00625 CPH5831 MCH3406 cph58

    a0670-1

    Abstract: CPH5855
    Text: CPH5855 Ordering number : ENA0670 CPH5855 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • DC / DC converters. Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package


    Original     		PDF CPH5855 ENA0670 A0670-6/6 a0670-1 CPH5855

    CPH5856

    Abstract: TC-00000403 marking YJ AM
    Text: CPH5856 Ordering number : ENA0687 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5856 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • DC / DC converters. Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package


    Original     		PDF CPH5856 ENA0687 A0687-6/6 CPH5856 TC-00000403 marking YJ AM

    86886

    Abstract: diode sy 710 mch5846 CPH5846 MCH3309 SS10015M ss-1001
    Text: CPH5846 Ordering number : EN8688 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5846 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)


    Original     		PDF CPH5846 EN8688 MCH3309) SS10015M) 86886 diode sy 710 mch5846 CPH5846 MCH3309 SS10015M ss-1001

    CPH5811

    Abstract: MCH3406 SBS004 2171A marking QM
    Text: CPH5811 Ordering number : ENN8234 CPH5811 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET MCH3406 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in one package facilitating high-density mounting.


    Original     		PDF CPH5811 ENN8234 MCH3406) SBS004) CPH5811 MCH3406 SBS004 2171A marking QM

    CPH5852

    Abstract: MCH3312 SB1003M3 A0336-3
    Text: CPH5852 注文コード No. N A 0 3 3 6 三洋半導体データシート N CPH5852 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ（MCH3312 とショットキバリアダイオード（SB1003M3）


    Original     		PDF CPH5852 MCH3312) SB1003M3 600mm2 60506PE TB-00002326 A0336-1/5 IT09554 CPH5852 MCH3312 A0336-3

    CPH5824

    Abstract: MCH3405 IT07165
    Text: CPH5824 注文コード No. N 7 7 5 0 三洋半導体データシート N CPH5824 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。


    Original     		PDF CPH5824 MCH3405) SB07-03C) 900mm2 TA-101045 ID00384 ID00385 ID00383 CPH5824 MCH3405 IT07165

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Ordering number: ENN6980 | MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5804 /SANYO, DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2171


    OCR Scan     		PDF ENN6980 CPH5804 MCH3312) SBS006M) CPH5804]