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PEI Genesis AIT0-32-22PC ER 54C 54#16 PIN RECP
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CPH5804 Abstract: MCH3312 SBS006M IT03222 Text: 注文コード No. N 6 9 8 0 CPH5804 No. N 6 9 8 0 62001 新 CPH5804 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ	Original	PDF	CPH5804 MCH3312) SBS006M 600mm2 IT00633 IT00632 IT00634 IT00635 CPH5804 MCH3312 SBS006M IT03222
CPH5852 Abstract: MCH3312 SB1003M3 A0336-3 Text: CPH5852 注文コード No. N A 0 3 3 6 三洋半導体データシート N CPH5852 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ（MCH3312 とショットキバリアダイオード（SB1003M3）	Original	PDF	CPH5852 MCH3312) SB1003M3 600mm2 60506PE TB-00002326 A0336-1/5 IT09554 CPH5852 MCH3312 A0336-3
CPH5854 Abstract: MCH3312 SB1003M3 A0516 Text: CPH5854 注文コード No. N A 0 5 1 6 三洋半導体データシート N CPH5854 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ（MCH3312 とショットキバリアダイオード（SB1003M3）	Original	PDF	CPH5854 MCH3312) SB1003M3 600mm2 90606PE TC-00000163 A0516-1/5 IT09554 CPH5854 MCH3312 A0516
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Ordering number : ENN6980 CPH5804 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5804 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2171	Original	PDF	ENN6980 CPH5804 MCH3312) SBS006M) CPH5804]
82306 Abstract: MCH3312 CPH5852 SB1003M3 Text: CPH5852 Ordering number : ENA0336 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5852 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type containing a P-Channel MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SB1003M3),	Original	PDF	CPH5852 ENA0336 MCH3312) SB1003M3) A0336-6/6 82306 MCH3312 CPH5852 SB1003M3
MCH3312 Abstract: CPH5854 SB1003M3 A05166 marking YG Text: CPH5854 Ordering number : ENA0516 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5854 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type containing a P-Channel MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SB1003M3),	Original	PDF	CPH5854 ENA0516 MCH3312) SB1003M3) A0516-6/6 MCH3312 CPH5854 SB1003M3 A05166 marking YG