Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2611 VEC2611 Ordering number : ENA0425 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • The VEC2611 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance, thereby enabling high-density mounting.
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Original
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VEC2611
ENA0425
VEC2611
900mm2â
VEC2611/D
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2813 Ordering number : ENA0384 VEC2813 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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VEC2813
ENA0384
A0384-6/6
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diode sy 710
Abstract: VEC2813 N1407
Text: VEC2813 Ordering number : ENA0384B SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2813 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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VEC2813
ENA0384B
A0384-6/6
diode sy 710
VEC2813
N1407
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MCH3406
Abstract: ENN7010 SANYO marking kf mosfet marking kf
Text: Ordering number : ENN7010 MCH3406 N-Channel Silicon MOSFET MCH3406 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-state resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2167A [MCH3406] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2
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Original
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ENN7010
MCH3406
MCH3406]
MCH3406
ENN7010
SANYO marking kf
mosfet marking kf
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CPH5611
Abstract: n715 N7154
Text: 注文コード No. N 7 1 5 4 CPH5611 No. N7154 41002 新 CPH5611 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 ・MOS 形電界効果トランジスタを１パッケージに２素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能
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Original
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CPH5611
N7154
600mm2
600mm2
IT04049
IT04050
CPH5611
n715
N7154
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N7010
Abstract: MCH3406
Text: 注文コード No. N 7 0 1 0 MCH3406 No. N7010 71801 新 MCH3406 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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Original
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PDF
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MCH3406
N7010
900mm2
900mm2
IT03499
IT03500
N7010
MCH3406
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VEC2813
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2813 注文コード No. N A 0 3 8 4 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0384A をさしかえてください。 VEC2813 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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VEC2813
NA0384A
900mm2
N0106
TC-00000299
52506PE
TB-000002333
A0384-1/6
N1407
VEC2813
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SCH1402
Abstract: 75333 TA-100481
Text: 注文コード No. N 7 5 3 3 SCH1402 三洋半導体データシート N SCH1402 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。
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Original
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SCH1402
900mm2
900mm2
IT05678
IT03497
IT05679
SCH1402
75333
TA-100481
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CPH5831
Abstract: MCH3406 SBS010M cph58
Text: CPH5831 注文コード No. N 8 2 2 0 三洋半導体データシート N CPH5831 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用
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Original
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PDF
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CPH5831
MCH3406)
SBS010M
600mm2
12805PE
TA-100797
IT08545
IT00625
CPH5831
MCH3406
cph58
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diode sy 710
Abstract: VEC2814
Text: VEC2814 Ordering number : ENA0390B SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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VEC2814
ENA0390B
A0390-6/6
diode sy 710
VEC2814
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CPH5811
Abstract: MCH3406 SBS004 2171A marking QM
Text: CPH5811 Ordering number : ENN8234 CPH5811 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET MCH3406 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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CPH5811
ENN8234
MCH3406)
SBS004)
CPH5811
MCH3406
SBS004
2171A
marking QM
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7010 MCH3406 MCH3406 N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-state resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2167A [MCH3406] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2
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Original
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ENN7010
MCH3406
MCH3406]
MCH3406/D
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A0849
Abstract: SS10015M VEC2820
Text: VEC2820 注文コード No. N A 0 8 4 9 三洋半導体データシート N VEC2820 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオード SS10015M を 1 パッケージに内蔵した複
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Original
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VEC2820
SS10015M)
900mm2
60607PE
TC-00000736
A0849-1/6
IT07152
IT07153
A0849
SS10015M
VEC2820
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ic 7533-1
Abstract: 7533-1 7533 datasheet SCH1402 75331
Text: Ordering number : ENN7533 SCH1402 N-Channel Silicon MOSFET SCH1402 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2221 [SCH1402] Top View 1.6 0.05 0.2 0.15
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Original
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ENN7533
SCH1402
SCH1402]
ic 7533-1
7533-1
7533 datasheet
SCH1402
75331
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MCH3406
Abstract: SBS004 CPH5811 2171A 4863s
Text: CPH5811 注文コード No. N 8 2 3 4 三洋半導体データシート N CPH5811 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3406 とショットキバリアダイオード(SBS004)を 1 パッケージに
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Original
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PDF
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CPH5811
MCH3406)
SBS004)
600mm2
22805PE
TB-00001212
IT00624
IT00623
MCH3406
SBS004
CPH5811
2171A
4863s
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2814 Ordering number : ENA0390 VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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PDF
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VEC2814
ENA0390
A0390-6/6
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VEC2814
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2814 Ordering number : ENA0390A SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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PDF
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VEC2814
ENA0390A
A0390-6/6
VEC2814
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IC rl46
Abstract: VEC2611
Text: VEC2611 Ordering number : ENA0425 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2611 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • The VEC2611 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,
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Original
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PDF
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VEC2611
ENA0425
VEC2611
900mm.
A0425-6/6
IC rl46
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enn7786
Abstract: SB07-03C MCH3406 CPH5826
Text: CPH5826 Ordering number : ENN7786 CPH5826 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter applications. Composite type with a N-channel sillicon MOSFET MCH3406 and a schottky barrier diode (SB07-03C)
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Original
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PDF
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CPH5826
ENN7786
MCH3406)
SB07-03C)
enn7786
SB07-03C
MCH3406
CPH5826
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A0425
Abstract: VEC2611 IT-1109
Text: VEC2611 注文コード No. N A 0 4 2 5 三洋半導体データシート N VEC2611 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合
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Original
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PDF
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VEC2611
900mm2
IT11102
900mm2
IT11103
IT11104
A0425-6/6
A0425
VEC2611
IT-1109
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CPH5826
Abstract: MCH3406 cph58
Text: CPH5826 注文コード No. N 7 7 8 6 三洋半導体データシート N CPH5826 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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PDF
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CPH5826
MCH3406)
SB07-03C)
600mm2
TA-100747
ID00383
ID00384
CPH5826
MCH3406
cph58
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VEC2814
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2814 注文コード No. N A 0 3 9 0 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0390A をさしかえてください。 VEC2814 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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VEC2814
NA0390A
900mm2
N0106
TC-00000301
42506PE
TB-00002243
A0390-1/6
N1407
VEC2814
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SS10015M
Abstract: VEC2820
Text: VEC2820 Ordering number : ENA0849 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2820 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M contained in one
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Original
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PDF
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VEC2820
ENA0849
SS10015M)
A0849-6/6
SS10015M
VEC2820
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15A50
Abstract: diode sy 710 VEC2813
Text: VEC2813 Ordering number : ENA0384A SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2813 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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PDF
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VEC2813
ENA0384A
A0384-6/6
15A50
diode sy 710
VEC2813
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