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SCH2301 Abstract: No abstract text available Text: SCH2301 Ordering number : EN8974 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET SCH2301 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • The SCH2301 incorporates two elements in the same package which are P-channel MOSFETs, thereby enabling	Original	PDF	SCH2301 EN8974 SCH2301
VEC2815 Abstract: No abstract text available Text: VEC2815 Ordering number : ENA0559 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC/DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package	Original	PDF	VEC2815 ENA0559 A0559-6/6 VEC2815
SCH2301 Abstract: TYP300V Text: SCH2301 注文コード No. N 8 9 7 4 三洋半導体データシート N SCH2301 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。	Original	PDF	SCH2301 TYP300V) 900mm2 IT08166 IT08165 900mm2 IT08470 IT08471 SCH2301 TYP300V
SCH2401 Abstract: 89754 Text: SCH2401 Ordering number : EN8975 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET SCH2401 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • The SCH2401 incorporates two elements in the same package which are N-channel MOSFETs, thereby enabling	Original	PDF	SCH2401 EN8975 SCH2401 89754
A0559 Abstract: VEC2815 Text: VEC2815 注文コード No. N A 0 5 5 9 三洋半導体データシート N VEC2815 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・DC / DC コンバータ用。	Original	PDF	VEC2815 900mm2 N2906PE TC-00000344 A0559-1/6 IT09872 1000k IT10608 A0559 VEC2815
SCH2401 Abstract: TYP300V 89754 Text: SCH2401 注文コード No. N 8 9 7 5 三洋半導体データシート N SCH2401 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。	Original	PDF	SCH2401 TYP300V) 900mm2 350mA 350mA, 200mA, 900mm2 IT07521 IT08480 SCH2401 TYP300V 89754