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    MT4S300 Search Results

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    MT4S300 Price and Stock

    Toshiba America Electronic Components MT4S300U(TE85L,O,F

    X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE
    Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy
    DigiKey MT4S300U(TE85L,O,F Digi-Reel 8,870 1
    • 1 $0.76
    • 10 $0.581
    • 100 $0.4476
    • 1000 $0.35673
    • 10000 $0.35673
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    MT4S300U(TE85L,O,F Cut Tape 8,870 1
    • 1 $0.76
    • 10 $0.581
    • 100 $0.4476
    • 1000 $0.35673
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    MT4S300U(TE85L,O,F Reel 6,000 3,000
    • 1 -
    • 10 -
    • 100 -
    • 1000 -
    • 10000 $0.32508
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    Verical MT4S300U(TE85L,O,F 475 46
    • 1 -
    • 10 -
    • 100 $0.5363
    • 1000 $0.5075
    • 10000 $0.5075
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    Chip1Stop MT4S300U(TE85L,O,F Cut Tape 475
    • 1 -
    • 10 $0.557
    • 100 $0.428
    • 1000 $0.406
    • 10000 $0.406
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    MT4S300 Datasheets (5)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Curated Datasheet Type PDF
    MT4S300T Toshiba Japanese - Transistors Original PDF
    MT4S300T Toshiba Transistors Original PDF
    MT4S300U Toshiba Transistors Original PDF
    MT4S300U Toshiba Japanese - Transistors Original PDF
    MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba America Electronic Components X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE Original PDF

    MT4S300 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MT4S300T 東芝トランジスタシリコンゲルマニウムNPNエピタキシャルプレーナ型 MT4S300T 単位: mm ○ UHF~SHF 帯 低雑音増幅用 1.2±0.05 0.9±0.05 • 高利得です。:|S21e|2=18dB 標準 (@f=2GHz) • 高静電破壊耐量:2kV 以上(HBM 法)


    Original
    PDF MT4S300T

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MT4S300U 東芝トランジスタシリコンゲルマニウムNPNエピタキシャルプレーナ型 MT4S300U 単位: mm ○ UHF~SHF 帯 低雑音増幅用 特 長 • 雑音特性が優れています。:NF=0.55dB 標準 (@f=2GHz) • 高利得です。:|S21e|2=16.9dB(標準) (@f=2GHz)


    Original
    PDF MT4S300U

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MT4S300U TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S300U Unit:mm ○ UHF-SHF Low Noise Amplifier Application FEATURES • Low Noise Figure :NF=0.55dB Typ. (@f=2GHz) • High Gain :|S21e|2=16.9dB(Typ.) (@f=2GHz) • 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits


    Original
    PDF MT4S300U

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MT4S300T TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S300T UHF-SHF Low Noise Amplifier Application Unit:mm 1.2±0.05 FEATURES 0.52±0.05 4 3 P3 1 1. Collector 2. Emitter 3. Base 4. Emitter 2 TESQ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C


    Original
    PDF MT4S300T

    GT30F131

    Abstract: GT30F124 TK18A60V smd m5 transistor 6-pin SMD TRANSISTOR H2A NPN GT50N322 MARKING SMD PNP TRANSISTOR h2a GT30J124 *30f124 TPCP8R01
    Text: SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG Transistors Bipolar Small-Signal Transistors Junction FETs Combination Products of Different Type Devices MOSFETs Bipolar Power Transistors Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors Radio-Frequency Small-Signal FETs Radio-Frequency Power MOSFETs


    Original
    PDF SCE0004L TTC4116* 2SC4118 TTA1586* 2SA1588 2SC4117 2SA1587 2SC5233 2SC4738 2SA1832 GT30F131 GT30F124 TK18A60V smd m5 transistor 6-pin SMD TRANSISTOR H2A NPN GT50N322 MARKING SMD PNP TRANSISTOR h2a GT30J124 *30f124 TPCP8R01

    TA4029CTC

    Abstract: TA4032FT TB7602TU MT4S300T MT4S300U MT4S301T TA4029TU SOT-24 MT4S300 RFM12U7X
    Text: 製品カタログ 2011-1 東芝半導体 製品カタログ 高周波用半導体デバイス SEMICONDUCTOR h t t p : / / w w w . s e m i c o n . t o s h i b a . c o . j p / C O N T E N T S 1 アプリケーション別推奨製品 .3~8


    Original
    PDF BCJ0003G BCJ0003F TA4029CTC TA4032FT TB7602TU MT4S300T MT4S300U MT4S301T TA4029TU SOT-24 MT4S300 RFM12U7X

    IGBT GT30F124

    Abstract: IGBT GT30J124 GT30F124 GT30J124 GT50N322 tk25e06k3 TPCP8R01 TK12A10K3 GT30G124 2SK3075
    Text: 東芝半導体製品総覧表 2011 年 1 月版 トランジスタ バイポーラ小信号トランジスタ 接合形 FET 異種混載複合デバイス MOSFET バイポーラパワートランジスタ 高周波バイポーラ小信号トランジスタ


    Original
    PDF SCJ0004R SC-43) 2SC1815 2SC732TM 2SC1959 2SA1015 2SC2240 2SA970 2SC1815 2SA1015 IGBT GT30F124 IGBT GT30J124 GT30F124 GT30J124 GT50N322 tk25e06k3 TPCP8R01 TK12A10K3 GT30G124 2SK3075

    3sk catalog

    Abstract: TE85L Toshiba
    Text: Semiconductor Catalog 2012-1 Radio-Frequency Semiconductors SEMICONDUCTOR & STORAGE PRODUCTS http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng C O N T E N T S 1 Recommended Products by Application . 3 to 7 1.1 Cell Phones 1.2 TV Tuners 1.3 Low-Power Radios FRS/GMRS


    Original
    PDF BCE0003H 3sk catalog TE85L Toshiba

    MT4S300T

    Abstract: TA4032FT MT3S111TU JAPANESE 2SC TRANSISTOR 2010 MT4S301T TA4029CTC TB7602CTC MT3S111P JAPANESE TRANSISTOR 2SC 2010 2sk3476
    Text: 2011-1 PRODUCT GUIDE Radio-Frequency Semiconductors SEMICONDUCTOR h t t p : / / w w w . s e m i c o n . t o s h i b a . c o . j p / e n g C O N T E N T S 1 Recommended Products by Application . 3 to 8 1.1 Cell Phones 1.2 TV Tuners 1.3 FRS/GMRS 1.4 Cordless Phones


    Original
    PDF BCE0003F MT4S300T TA4032FT MT3S111TU JAPANESE 2SC TRANSISTOR 2010 MT4S301T TA4029CTC TB7602CTC MT3S111P JAPANESE TRANSISTOR 2SC 2010 2sk3476

    MT4S300T

    Abstract: TGI0910-50 MT3S111P 2SC3136 S8850AF TA4032FT MT4S300U VHF-UHF Band oscillator 2sc5108 MT4S301T
    Text: SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG Radio-Frequency Devices Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors Radio-Frequency Small-Signal FETs Radio-Frequency Power MOSFETs Radio-Frequency Diodes Small-Signal MMICs Radio-Frequency Cell Packs Microwave Semiconductors


    Original
    PDF 2010/9SCE0004K 2SC1923 MT4S300T TGI0910-50 MT3S111P 2SC3136 S8850AF TA4032FT MT4S300U VHF-UHF Band oscillator 2sc5108 MT4S301T

    GT30F124

    Abstract: TPCP8R01 GT30J124 JAPANESE 2SC TRANSISTOR 2010 smd transistor h2a smd marking 8L01 tk25e06k3 GT45F122 gt30g124 GT30F123
    Text: SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG Transistors Bipolar Small-Signal Transistors Junction FETs Combination Products of Different Type Devices MOSFETs Bipolar Power Transistors Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors Radio-Frequency Small-Signal FETs Radio-Frequency Power MOSFETs


    Original
    PDF 2010/9SCE0004K SC-43) 2SC1815 700the GT30F124 TPCP8R01 GT30J124 JAPANESE 2SC TRANSISTOR 2010 smd transistor h2a smd marking 8L01 tk25e06k3 GT45F122 gt30g124 GT30F123

    RFM70U12D

    Abstract: 2SC3136 RFM70 TGI8596-50 MT4S300T TA4029 TA4032FT TA4029TU TA4029CTC 2SK403
    Text: 東芝半導体製品総覧表 2010 年 1 月版 高周波デバイス 高周波バイポーラ小信号トランジスタ 高周波小信号 FET 高周波パワーMOSFET 高周波バイポーラパワートランジスタ 高周波ダイオード 小信号 MMIC 高周波セルパック


    Original
    PDF SCJ0004O 2SC2714 2SC2715 2SC2716 2SC3123 2SC5064 2SC5084 2SC5089 2SC5106 2SC5109 RFM70U12D 2SC3136 RFM70 TGI8596-50 MT4S300T TA4029 TA4032FT TA4029TU TA4029CTC 2SK403

    *45F122

    Abstract: GT30f124 *30g122 *30f124 IGBT GT30F124 GT30J124 GT45F122 GT30F123 TPCA*8023 GT50N322
    Text: 東芝半導体製品総覧表 2010 年 1 月版 トランジスタ バイポーラ小信号トランジスタ 接合形 FET 異種混載複合デバイス MOSFET バイポーラパワートランジスタ 高周波バイポーラ小信号トランジスタ


    Original
    PDF SCJ0004O SC-43) 2SC1815 2SC732TM 2SC1959 2SA1015 2SC2240 2SA970 2SC1815 2SA1015 *45F122 GT30f124 *30g122 *30f124 IGBT GT30F124 GT30J124 GT45F122 GT30F123 TPCA*8023 GT50N322

    TGI7785-120L

    Abstract: TA4029TU MT3S11CT TA4029CTC MT4S300T MT4S300U TA4032FT TGI8596-50 TMD7185-2 TGI0910-50
    Text: 東芝半導体製品総覧表 2011 年 1 月版 高周波デバイス 高周波バイポーラ小信号トランジスタ 高周波小信号 FET 高周波パワーMOSFET 高周波ダイオード 小信号 MMIC 高周波セルパック マイクロ波半導体


    Original
    PDF SCJ0004R 2SC2714 2SC5064 2SC5084 2SC5089 2SC5106 2SC5109 MT3S03A MT3S04A MT3S106 TGI7785-120L TA4029TU MT3S11CT TA4029CTC MT4S300T MT4S300U TA4032FT TGI8596-50 TMD7185-2 TGI0910-50