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    GMOY6011 Search Results

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    BPX osram

    Abstract: GMOY6011 BPX61
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5) • Especially suitable for applications from 400 nm


    Original
    PDF Q62705-P25 BPX osram GMOY6011 BPX61

    BPW21

    Abstract: Q62702-P885 GMOY6011
    Text: Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 820 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ


    Original
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    TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

    Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
    Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111


    Original
    PDF GEMY6050 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62

    STR G 8654

    Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
    Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date


    Original
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    BPX61

    Abstract: GMOY6011 OHLY0598
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich


    Original
    PDF Q62702P0025 BPX61 GMOY6011 OHLY0598

    Q62702P0885

    Abstract: BPW21
    Text: 2007-04-03 Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.0 BPW 21 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 350 nm to 820 nm • Adapted to human eye sensitivity Vλ


    Original
    PDF D-93055 Q62702P0885 BPW21

    TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

    Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
    Text: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com


    Original
    PDF GEXY6713 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code

    GMOY6011

    Abstract: OHLY0598
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich


    Original
    PDF Q62702P0025 GMOY6011 OHLY0598

    diode 9306

    Abstract: FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992
    Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS Maßbilder in mm inch Outline Drawings dimensions in mm (inch) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) SFH 5110, SFH 5111 Figure 2 6.1 (0.240) 5.9 (0.232)


    Original
    PDF GETY6091 GPLY6899 GPLY6880 diode 9306 FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992

    fototransistor BPW 39

    Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
    Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.


    Original
    PDF EN60825-1 GETY6091 GPLY6899 GPLY6880 fototransistor BPW 39 fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-10 Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.1 BPW 21 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 350 nm to 820 nm • Adapted to human eye sensitivity Vλ


    Original
    PDF D-93055

    tci 571

    Abstract: GMOY6011 OHLY0598 Q62702P0885
    Text: Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPW 21 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350nm bis 820nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)


    Original
    PDF 350nm 820nm 350nm tci 571 GMOY6011 OHLY0598 Q62702P0885

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPX 61 Features: Besondere Merkmale: • Suitable up to 125 °C • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • Hermetically sealed metal package (similar to


    Original
    PDF D-93055

    BPX61

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2007-03-30 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 BPX 61 Features: Besondere Merkmale: • Suitable up to 125 °C • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • Hermetically sealed metal package (similar to


    Original
    PDF D-93055 BPX61

    BPW21

    Abstract: Q62702P0885 GMOY6011 OHLY0598
    Text: Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPW 21 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350nm bis 820nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)


    Original
    PDF 350nm 820nm 350nm BPW21 Q62702P0885 GMOY6011 OHLY0598