P75N02LDG
Abstract: P75N02
Text: Single N-channel MOSFET ELM32428LA-S •General description ■Features ELM32428LA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=25V Id=75A Rds(on) < 7mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 10mΩ (Vgs=4.5V)
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Original
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ELM32428LA-S
ELM32428LA-S
P75N02LDG
O-252
Jun-11-2005
P75N02LDG
P75N02
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ELM32428LA
Abstract: No abstract text available
Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM32428LA-S •概要 ■特点 ELM32428LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=25V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=75A ·Rds on < 7mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 10mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目
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ELM32428LA-S
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Jun-11-2005
ELM32428LA
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P75N02LDG
Abstract: No abstract text available
Text: Single N-channel MOSFET ELM32428LA-S •General description ■Features ELM32428LA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=25V Id=75A Rds(on) < 7mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 10mΩ (Vgs=4.5V)
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ELM32428LA-S
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O-252
Jun-11-2005
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P75N02LDG
Abstract: No abstract text available
Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM32428LA-S •概要 ■特長 ELM32428LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=25V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=75A ・ Rds on < 7mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 10mΩ (Vgs=4.5V)
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