fiber optic phototransistor
Abstract: detector 1100 nm SFH 350V phototransistor visible light SFH 350 V Q62702-P1033 Q62702-P264 IC for IR receiver
Text: Plastic Fiber Optic Phototransistor Detector Plastic Connector Housing SFH 350 SFH 350V Features • • • • • 2.2 mm aperture holds standard 1000 micron plastic fiber No fiber stripping required Good linearity Sensitive in visible and near IR range
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IC/IC25
HFE/HFE25
fiber optic phototransistor
detector 1100 nm
SFH 350V
phototransistor visible light
SFH 350 V
Q62702-P1033
Q62702-P264
IC for IR receiver
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GEOY6061
Abstract: SFH5130
Text: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm • Runde Fotodiode
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sfh5130
Abstract: No abstract text available
Text: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm • Runde Fotodiode
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GEOY6061
Abstract: SFH5130
Text: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm • Runde Fotodiode
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Q62702-P5160
Abstract: SFH 3410
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit Vλ-Charakteristik Version 1.1 SFH 3310 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 350 . 970 nm • Package: 3mm Radial (T 1), Epoxy
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm
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SFH 3410
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich Silicon NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ
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Q62702-P5160
GEOY6028
SFH 3410
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GEOY6028
Abstract: SFH 3410
Text: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich Silicon NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ
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GEOY6028
Abstract: Q62702-P5160 SFH3410 SFH 3410
Text: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich im Smart-DIL-Geh. Si-NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range in Smart-DIL Package SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm
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Original
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GEO06314
Abstract: Q62702-P936
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode With Very Short Switching Time SFH 216 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 5 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
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Q62702-P936
GEO06314
GEO06314
Q62702-P936
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GEOY6314
Abstract: Fotodiode tci 571 Q62702-P936
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode With Very Short Switching Time SFH 216 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 5 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
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Q62702-P936
GEOY6314
GEOY6314
Fotodiode
tci 571
Q62702-P936
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SFH 3410
Abstract: Radian SFH3410-2
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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Q65110A1211
Q65110A2653
Q65110A2654
Q65110A2655
720-SFH3410-2/3-Z
3410-2/3-Z
SFH 3410
Radian
SFH3410-2
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3310 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepasst an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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Q65110A2655
Abstract: SFH 3410 Q65110A1211
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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Original
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sfh 3310
Abstract: 560nm GEOY6446 OHLY0598 npn phototransistor 560nm
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3310 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepasst an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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GEOY6446
Abstract: OHLY0598 npn phototransistor 560nm
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3310 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepasst an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3310 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepasst an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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SFH 3410
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 940 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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Q65110A1211
Q65110A2653
Q65110A2654
Q65110A2655
SFH 3410
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D 3410 A
Abstract: Q65110A1211 fototransistor led J-STD-020B SFH 3410
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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GEO06028
Abstract: Q62702-P5160 phototransistor 550 nm SFH 3410
Text: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich im Smart-DIL-Geh. Si-NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range in Smart-DIL Package SFH 3410 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ
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GEO06028
GEO06028
Q62702-P5160
phototransistor 550 nm
SFH 3410
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OHRD1938
Abstract: Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62 SFH 960
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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GEO06314
GET06091
GET06013
OHRD1938
Q62702-P784
Q62702-P787
Q62702-P790
Q62702-P96
Q62702-P98
BPY 62
SFH 960
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Plastic Fiber Optic Phototransistor Detector Plastic Connector Housing SFH 350 SFH 350V Features • • • • • 2.2 mm aperture holds standard 1000 micron plastic fiber No fiber stripping required Good linearity Sensitive in visible and near IR range
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HFE/HFE25
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Q62702-P922
Abstract: Q62702-P936 Q62702-P947
Text: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors 5. Sehr schnelle PIN-Fotodioden 5. PIN Photodiodes for High-Speed Applications T. = 25 C Tk = 25DC Package 5.1 Type • vorher C formerly) <P Radiant sensitive area deg. mm2 b (X = 950 nm, E „ = 1 mW/cm2, l-p = 5 V)
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062702-P215
Q62702-P956
Q62702-P1671
Q62702-P1672
Q62702-P947
Q62702-P936
Q62702-P27
Q62702-P922
Q62702-P936
Q62702-P947
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