Q62702P5053 Search Results

Q62702P5053 Datasheets (1)

Part	ECAD Model	Manufacturer	Description	Curated	Datasheet Type	PDF
Q62702-P5053		Siemens	GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm		Original	PDF

Q62702P5053 Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	MFG & Type	PDF	Document Tags
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62 Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111	Original	PDF	GEMY6050 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
GMO06983 Abstract: Q62702-P5053 Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an	Original	PDF	OHR00389 GMO06983 GMO06983 Q62702-P5053
Untitled Abstract: No abstract text available Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an	Original	PDF	OHR00389 GMOY6983
GMO06983 Abstract: OHLY0598 Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit	Original	PDF
GMOY6983 Abstract: Q62702-P5053 Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an	Original	PDF
Q62703Q1820 Abstract: Q62703Q5195 20MS Q62702-Q1745 Text: IR-LUMINESZENZDIODEN INFRARED EMITTERS 3. Emitter im Plastikgehäuse Package T 1¾ λpeak 3. Emitters in Plastic Package ϕ deg. Ie VF nm mW/sr V IRL 81 A 880 ± 25 ≥ 1.0 1.5 SFH 484 SFH 484-2 880 ±8 ≥ 50 ≥ 80 SFH 486 880 ± 11 SFH 485-2 880 SFH 487	Original	PDF	Q68000-A8000 Q62703-Q1092 Q62703-Q1756 Q62703-Q1094 Q62703-Q1547 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174 Q62702-P5524 Q62702-P5525 Q62702-P5526 Q62703Q1820 Q62703Q5195 20MS Q62702-Q1745
Untitled Abstract: No abstract text available Text: 2014-01-16 GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.1 SFH 4860 Features: Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Cathode is electrically connected to the case • High reliability • Matches all Si-Photodetectors	Original	PDF	D-93055
GMO06983 Abstract: OHLY0598 Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit	Original	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: SIEMENS GaAIAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAIAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Chip position 14.5 12.5 LO o ö (2 .7 ) E 0)1 CO LO cp Q _- c \i w J Cathode 4.05 3.45 Flat glass cap 02.54 GM006983 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.	OCR Scan	PDF	GM006983