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Untitled Abstract: No abstract text available Text: Dual N-channel MOSFET ELM36800EA-S •General description ■Features ELM36800EA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=30V Id=3.5A Rds(on) < 68mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 98mΩ (Vgs=4.5V)	Original	ELM36800EA-S ELM36800EA-S P6803HAG OCT-12-2005	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM36800EA-S •概要 ■特長 ELM36800EA-S は低入力容量低電圧駆動、低オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー・ Vds=30V ・ Id=3.5A MOSFET です。・ Rds on < 68mΩ (Vgs=10V)	Original	ELM36800EA-S OCT-12-2005	PDF
ELM36800EA Abstract: No abstract text available Text: 双 N 沟道 MOSFET ELM36800EA-S •概要 ■特点 ELM36800EA-S 是 N 沟道低输入电容低工作电压、 •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=3.5A ·Rds on < 68mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 98mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值	Original	ELM36800EA-S OCT-12-2005 ELM36800EA	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Dual N-channel MOSFET ELM36800EA-S •General description ■Features ELM36800EA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=30V Id=3.5A Rds(on) < 68mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 98mΩ (Vgs=4.5V)	Original	ELM36800EA-S ELM36800EA-S P6803HAG OCT-12-2005	PDF