SFH309PFA
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-02 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Discontinued SFH 309 P, SFH 309 PFA SFH 309 P Features: SFH 309 PFA Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 380 nm . 1180 nm SFH 309 P , 880 nm . 1120 nm (SFH 309 PFA) • Package: 3mm Radial (T 1), Epoxy
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D-93055
SFH309PFA
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sfh 309 IC
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-02 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 SFH 309, SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 380 nm . 1180 nm SFH 309 , 880 nm.1120 nm (SFH 309 FA) • • • •
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D-93055
sfh 309 IC
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SFH 309 FA
Abstract: SFH 309-3/4
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 380 nm . 1180 nm SFH 309 , 880 nm.1120 nm (SFH 309 FA) • • • •
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D-93055
SFH 309 FA
SFH 309-3/4
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409 marking
Abstract: osram sfh 309
Text: 2011-03-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 409 Features: • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors Same package as SFH 309, SFH 487
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D-93055
409 marking
osram sfh 309
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diode BY 309
Abstract: SFH 309-3/4
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA)
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GEOY6446
Abstract: OHLY0598 npn phototransistor sfh 309
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 309 P SFH 309 PFA SFH 309 P SFH 309 PFA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309 P) und bei
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GEOY6446
Abstract: Q62702-P245 Q62702-P246 npn phototransistor sfh 309
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 P SFH 309 PFA SFH 309 P SFH 309 PFA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm SFH 309 P und bei 880 nm (SFH 309 PFA) • Hohe Linearität
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opto P180
Abstract: P180 opto npn phototransistor sfh 309 foto transistor Q62702-P999 transistor 309 Q62702-P178 Q62702-P180 Q62702-P859 Q62702-P941
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm SFH 309 und bei 880 nm (SFH 309 FA) • Hohe Linearität
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GEOY6446
Abstract: OHLY0598
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 309 P SFH 309 PFA SFH 309 P SFH 309 PFA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309 P) und bei
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SFH 200 optokoppler
Abstract: GEXY6250 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409
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Q62702P0180
Abstract: osram sfh 309 SFH 309 FA V Q62702P0941 OHF01121 foto transistor npn phototransistor sfh 309 transistor 309 GEOY6653 Q62702P3593
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA)
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GEXY6250
Abstract: Q62702-P1002 Q62702-P860
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
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STR G 8654
Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date
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OPTOKOPPLER
Abstract: OHR00886
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 P Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an
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Q62703Q0517
720-SFH487P
OPTOKOPPLER
OHR00886
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IEC 62471 osram
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-02 GaAlAs Infrared Emitter 880 nm GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 P Features: • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors
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D-93055
IEC 62471 osram
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GEX06250
Abstract: OHLY0598
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an
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osram sfh 309
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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GEMY6689
Abstract: No abstract text available
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Hohe Impulsbelastbarkeit
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an
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GEX06250
Abstract: OHLY0598 SFH 409 SFH 487
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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GEX06250
Abstract: OHLY0598 409 marking
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an
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GEX06308
Abstract: OHLY0598
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 P Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an
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