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    osram ir ld 274

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484


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    PDF Q62703Q1031 Q62703Q1819 Q62703Q1820 osram ir ld 274

    4510

    Abstract: d 4515 GEOY6960 GEOY6968 OHRD1938 Q62702-P1798 Q62702-P1821
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm in SMR Gehäuse GaAs Infrared Emitters (950 nm) in SMR® Package SFH 4510 SFH 4515 SFH 4510 SFH 4515 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR® (Surface Mount Radial) Gehäuse


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    OHRD1938

    Abstract: Q62702-P1137
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 415 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    GEXY6051

    Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1820
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen


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    OHRD1938

    Abstract: Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,


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    ipc 9501

    Abstract: radiant 4010
    Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter SFH 4010 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: LxBxH 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 950nm • IR Reflow Löten geeignet • Gegurtet lieferbar


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    PDF 950nm ipc 9501 radiant 4010

    transistor 415

    Abstract: OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,


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    PDF GEOY6645 GEXY6630 transistor 415 OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296

    GPLY6724

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 4211 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich


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    GPLY6057

    Abstract: J-STD-020B OHLA0687 OHPY1301
    Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4010 Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 950 nm • IR Reflow Löten geeignet • Gegurtet lieferbar


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    OHRD1938

    Abstract: sfh481-3
    Text: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden


    Original
    PDF O-46-Geh OHRD1938 sfh481-3

    osram ir ld 274

    Abstract: GEX06051 OHRD1938 800 274 0
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4010 Nicht für Neuentwicklungen / not for new designs Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 950 nm


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    GMOY6078

    Abstract: Q65110A0136
    Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, Enhanced Power GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2


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    PDF 0118G GMOY6078 Q65110A0136

    GEO06645

    Abstract: GEX06630 OHRD1938 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 7.8 7.5 5.9 5.5 4.8 4.2 Area not flat fexf6626 0.4 0.6 ø4.8 ø5.1 0.4 0.8 spacing 2.54 mm 1.8 1.2 9.0 8.2 0.6 0.4 GEO06645 Chip position Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode


    Original
    PDF fexf6626 GEO06645 fex06630 GEX06630 OHR01553 OHR00860 GEO06645 GEX06630 OHRD1938 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296

    SFH4512

    Abstract: 4512
    Text: 2011-03-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 4512 Features: • • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED 5mm plastic package Peak Wavelength 950nm Spectral match with silicon photodetectors High radiant intensity


    Original
    PDF 950nm D-93055 SFH4512 4512

    GMOY6078

    Abstract: OHRD1938
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode 950 nm GaAs Infrared Emitter (950 nm) F 0118G Wesentliche Merkmale Features Chipgröße 300 x 300 µm GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


    Original
    PDF 0118G GMOY6078 OHRD1938

    d 4515

    Abstract: applications 4510 4510 GEO06968 GEO06969 OHRD1938 Q62702-P1798 Q62702-P1821 4510 chip
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm in SMR Gehäuse GaAs Infrared Emitters (950 nm) in SMR Package SFH 4510 SFH 4515 SFH 4510 SFH 4515 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • SMR (Surface Mount Radial) Gehäuse • Für Oberflächenmontage geeignet


    Original
    PDF GEO06968 GEO06969 d 4515 applications 4510 4510 GEO06968 GEO06969 OHRD1938 Q62702-P1798 Q62702-P1821 4510 chip

    4511

    Abstract: 4511 datasheet SFH 4511 datasheet GEXY6051 OHRD1938
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 4511 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Peakwellenlänge 950nm • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Sehr enger Abstrahlwinkel ± 4° • Hohe Strahlstärke


    Original
    PDF 950nm 4511 4511 datasheet SFH 4511 datasheet GEXY6051 OHRD1938

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-05-15 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 SFH 4512 Features: Besondere Merkmale: • • • • • • • • • • • • Very highly efficient GaAs-LED 5mm plastic package Peak Wavelength 950nm Spectral match with silicon photodetectors


    Original
    PDF 950nm D-93055

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4010 Für Neuentwicklungen / for new designs Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 950 nm


    Original
    PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 415 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,


    Original
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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4 5.7 5.1 29 27 Chip position Cathode Diode Collector (Transistor) fex06260 1.8 1.2 GEX06260


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    PDF fex06260 GEX06260 OHR01041 OHR01882 OHR00860

    4511

    Abstract: GEXY6051 OHLY0598 OHRD1938 Q62703Q5557 SFH4511
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm Kunststoffgehäuse Peakwellenlänge 950 nm


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    4516-U

    Abstract: 4516U Q65111A0380 GEOY6645 OHRD1938 SFH4516
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4516 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit


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