Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 313 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 740 . 1080 nm • Package: 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy • Special: 5 mm plastic package • High photosensitivity
|
Original
|
PDF
|
D-93055
|
SFH 309 FA
Abstract: SFH 309-3/4
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 380 nm . 1180 nm SFH 309 , 880 nm.1120 nm (SFH 309 FA) • • • •
|
Original
|
PDF
|
D-93055
SFH 309 FA
SFH 309-3/4
|
Q62702-P5014
Abstract: Q62702-P5200
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
|
Original
|
PDF
|
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3219 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1150 nm • Package: TOPLED with Lens • Special: Suitable for all soldering methods • High linearity
|
Original
|
PDF
|
D-93055
|
OSRAM IR emitter IRL
Abstract: GEOY6391 OHFD1422 Q68000-A7852
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit • Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A
|
Original
|
PDF
|
Q68000-A7852
OSRAM IR emitter IRL
GEOY6391
OHFD1422
Q68000-A7852
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors 0.3 min 2.1 1.7 1.0 0.9 5.4 5.0 1.7 1.5 2.4 3.4 3.0 0.3 max 3.0 2.6 2.3 2.1 SFH 3211 SFH 3211 FA fpl06899 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED RG-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED RG-Package 0.0.1 Cathode/Collector marking
|
Original
|
PDF
|
fpl06899
fplf6899
GPL06899
103ff.
169ff.
|
Q62702-P5043
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität
|
Original
|
PDF
|
|
P555
Abstract: GPLY6089
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3010 Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines SMT-Gehäuse SCD 80 : (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1100 nm • großer Empfangswinkel ±80°
|
Original
|
PDF
|
|
.3211
Abstract: FA4 MARKING
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED RG-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED RG-Package SFH 3211 SFH 3211 FA SFH 3211 SFH 3211 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 3211 und bei
|
Original
|
PDF
|
|
phototransistor 650 nm
Abstract: Q62702-P1634 fototransistor led c 331 transistor transistor d 331 331 transistor
Text: SMT Multi TOPLED SFH 331 Wesentliche Merkmale • SMT-Gehäuse mit rotem Sender 635 nm und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar • Geeignet für IR-Reflow Löten Features
|
Original
|
PDF
|
Q62702-P1634
OHF01924
GPL06924
phototransistor 650 nm
Q62702-P1634
fototransistor led
c 331 transistor
transistor d 331
331 transistor
|
Q62702-P1667
Abstract: Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1754
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 313 und bei 880 nm (SFH 313 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform
|
Original
|
PDF
|
OHF02340
GEX06260
Q62702-P1667
Q62702-P1674
Q62702-P1751
Q62702-P1752
Q62702-P1754
|
Q62702-P1819
Abstract: 0083CA
Text: GaAlAs-IR-Lumineszensdiode 880 nm und Si-Fototransistor GaAlAs-Infrared-Emitter (880 nm) and Si-Phototransistor SFH 7221 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • SMT-Gehäuse mit IR-Sender (880 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung
|
Original
|
PDF
|
GPLY6965
Q62702-P1819
0083CA
|
Q62702-P1796
Abstract: Q62702-P3605
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
|
Original
|
PDF
|
|
Q65110A2510
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED®-Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 320 SFH 320 FA SFH 320 SFH 320 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
|
Original
|
PDF
|
|
|
|
TRANSISTOR K 314
Abstract: SFH 314 SFH314FA
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 314) und bei 880 nm (SFH 314 FA)
|
Original
|
PDF
|
Q62702P1668
TRANSISTOR K 314
SFH 314
SFH314FA
|
Q62702P0180
Abstract: osram sfh 309 SFH 309 FA V Q62702P0941 OHF01121 foto transistor npn phototransistor sfh 309 transistor 309 GEOY6653 Q62702P3593
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA)
|
Original
|
PDF
|
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3010 Für Neuentwicklungen / for new designs Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines SMT-Gehäuse: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm
|
Original
|
PDF
|
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED®-Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 320 SFH 320 FA SFH 320 SFH 320 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
|
Original
|
PDF
|
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SMT Multi TOPLED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 331 Wesentliche Merkmale Features • SMT-Gehäuse mit rotem Sender (635 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar
|
Original
|
PDF
|
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Phototransistor im MIDLED-Gehäuse Phototransistor in MIDLED package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3600 SFH 3605 SFH 3600 SFH 3605 Wesentliche Merkmale Features • Enger Empfangswinkel (±20°) • Geringe Bauhöhe (1,6mm) • Als Toplooker und Sidelooker einsetzbar
|
Original
|
PDF
|
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit
|
Original
|
PDF
|
|
Q62702-P5209
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet
|
Original
|
PDF
|
Q62702-P5043
Q62702-P5209
GEOY6982
|
transistor 313
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 313) und bei 880 nm (SFH 313 FA)
|
Original
|
PDF
|
Q62702P1667
transistor 313
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1120 nm • Package: Micro SIDELED • Special: Large viewing angle ± 60° • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
|
Original
|
PDF
|
D-93055
|