igbt module bsm 200
Abstract: GB60 igbt module bsm 300 eupec igbt BSM 100 gb
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. - - 0,17 K/W - - 0,29 K/W Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC
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thyristor 12V 1A
Abstract: TZ810N22KOF
Text: Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ810N22KOF Key Parameters VDRM / VRRM 2200 V ITAVM 819 A TC=85°C ITSM vT0 39000 A 3570A (TC=55°C) 0,82 V rT 0,17 mΩ RthJC 0,0405 K/W Baseplate 70 mm Weight
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TZ810N22KOF
thyristor 12V 1A
TZ810N22KOF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / technical information Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DZ1070N28K Key Parameters VDRM / VRRM 2800 V IFAVM 1070 A TC=100°C IFSM vT0 41000 3570A A (TC=55°C) 0,8 V rT 0,17 mΩ RthJC 0,0435 K/W Baseplate 70 mm Weight 2750 g
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DZ1070N28K
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Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT170N Key Parameters VDRM / VRRM 1200 V – 1800 V ITAVM 170 A TC=85 °C ITSM VT0 5200 A 3570A (TC=55°C) 0,95 V rT 1,0 mΩ RthJC 0,17 K/W Base plate 50 mm
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TT170N
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LED alta luminosidad
Abstract: sensor ultrasonico 3RG6451-3CC00 led amarillo SENSOR DE TEMPERATURA ultrasonico led verde led verde 2V ULTRASONICO ultrasonic transducer au 3ZX1012-0RG64-1CA1
Text: + 70° C + 70° C Sonar – BERO Kompaktreihe K08 IP 67 3RG6451-3CC00 -25° C Betriebsanleitung Bestell-Nr.: 3ZX1012-0RG64-1CA1 Reflexionstaster mit Hintergrundausblendung 300 kHz Aufgrund physikalischer Gegebenheiten dürfen Ultraschall-Sensoren NICHT für Personenschutz oder NOT-AUS Funktionen verwendet werden!
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3RG6451-3CC00
3ZX1012-0RG64-1CA1
LED alta luminosidad
sensor ultrasonico
3RG6451-3CC00
led amarillo
SENSOR DE TEMPERATURA ultrasonico
led verde
led verde 2V
ULTRASONICO
ultrasonic transducer au
3ZX1012-0RG64-1CA1
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E86060
Abstract: 5NM60 L400 M18S 3ZX10 bero 3ZX1012-0R seconda Basso 3ZX1012
Text: + 70° C + 70° C IP 67 Sonar – BERO Kompaktreihe M18S Betriebsanleitung 3RG6421-3RS00 -25° C Bestell-Nr.: 3ZX1012-0RG64-1BA1 Sonar – BERO Compact range M18S Operating Instructions Frequenzausgang 300 kHz Frequency output 300 kHz Aufgrund physikalischer Gegebenheiten dürfen Sonar-BERO NICHT für Personenschutz oder NOT-AUS Funktionen
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3RG6421-3RS00
3ZX1012-0RG64-1BA1
E86060
5NM60
L400
M18S
3ZX10
bero
3ZX1012-0R
seconda
Basso
3ZX1012
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3ZX1012-0R
Abstract: pulsador 4 pines 3RG6432-3BB00 pulsador sensor de barrera 3ZX1012-0RG64-2AA1 sensor ultrasonico 3zx1012 rifle fotocellula
Text: + 70° C + 70° C IP 67 Sonar – BERO Kompaktreihe M18S -25° C Betriebsanleitung 3RG6432-3BB00 Bestell-Nr.: 3ZX1012-0RG64-2AA1 Sonar – BERO Compact range M18S Operating Instructions Aufgrund physikalischer Gegebenheiten dürfen Sonar-BERO NICHT für Personenschutz oder NOT-AUS Funktionen
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3RG6432-3BB00
3ZX1012-0RG64-2AA1
3ZX1012-0R
pulsador 4 pines
3RG6432-3BB00
pulsador
sensor de barrera
3ZX1012-0RG64-2AA1
sensor ultrasonico
3zx1012
rifle
fotocellula
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Abstract: No abstract text available
Text: Influence of Thermal Cross Coupling at Power Modules Ernö Temesi, Zsolt Gyimothy Vincotech Kft., H-2060 Bicske, Kossuth Lajos u. 59 Abstract The thermal impedance of the semiconductors in Power Modules is always measured for a single chip, without the influence of other surrounding dies. This article describes the increase of the junction temperature of powersemiconductors due to the cross coupling of the Rth of components placed close to each other. The influence of
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H-2060
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BU103
Abstract: URV5-Z2 URV5 nrv-z51 cd 1619 Dioden Tabelle EQUIVALENT cd 1031 cs Gleichrichter IEC-1010-1 NRV-Z4
Text: Spannungsmeßköpfe URV5-Z Universelle Spannungsmessung von HF bis Mikrowelle Die Spannungsmeßköpfe der Entsprechend universell lassen sie Die Spannungsmeßköpfe sind die Reihe URV5-Z sind unentbehrliche sich einsetzen für: passenden Werkzeuge für die täg-
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Abstract: No abstract text available
Text: Spezifikation für Freigabe / specification for release Kunde / customer : Artikelnummer / part number : Bezeichnung : description : LF 749119250 POWER OVER ETHERNET-ÜBERTRAGER WE-PoE POWER OVER ETHERNET-TRANSFORMER WE-PoE RoHS compliant DATUM / DATE : 2005-06-22
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D-74638
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Abstract: No abstract text available
Text: TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP100R12KT4 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter VorläufigeDaten/PreliminaryData
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FP100R12KT4
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b2c15
Abstract: No abstract text available
Text: Spezifikation für Freigabe / specification for release Kunde / customer : Artikelnummer / part number : Bezeichnung : description : LF 749119250 POWER OVER ETHERNET-ÜBERTRAGER WE-PoE POWER OVER ETHERNET-TRANSFORMER WE-PoE DATUM / DATE : 2006-08-01 A Mechanische Abmessungen / dimensions :
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D-74638
b2c15
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tianma lcd
Abstract: S6B0715A11-B0CZ lcd 7011 CS-211
Text: E.O MAX 0.7±0.1— 1 |f-0.7±0.1 DETAIL A: — 0,17 FRDNT — 1 po.De CO 11 t r N O □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ IV T A P E BLACK SILICDI ^ ÍL A C K SILICON ND, SYMBOL ND, SYMBOL 1 RESETB 2 CS2 10 11 C2+ 3 RS 12 CPVR — 0.7CNAX) DETAIL Ci
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S6B0715A11-B0CZ
TM9632E
tianma lcd
S6B0715A11-B0CZ
lcd 7011
CS-211
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SP201
Abstract: TB-102 HDL2
Text: REVISIONS L4 L3 SP201 GAIN 30dB FLA TN E S S = ± 0,5dB Ll = 4T #26 wire 1/8' HD LB = 3/16' long wire loop #26 wire L3, 4, 5, L6, 7, 8 15 T u rn s 0,17' ID to ro id lOuH molded choke S. K. LEDNG APPRDVED L5 SP201 by DATE DESCRIPTION REV SP201 5/15/99 P D L Y F E T RF D E V I C E S
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28VDC
SP201
TB-102
HDL2
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dd 76 N powerblock
Abstract: No abstract text available
Text: Rectifier Diode Modules Type V rrm Ifr m sm V A Ifsm A 10 ms, VRSM = VRRM + 100 V Jpdt IfavM / T c A2s A/°C 10ms, T vjmaXi T vjm a x *103 28,8 V TO V T‘ V] =T1v) max rT m fi T„; RfhCK T v j m ax ° c /w °C /W °c o u tlin e 180° e! sin ^ v| rr a <
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z70u
Abstract: R100000
Text: EF 9 EF 9 H.F.-Penthode-Selektode Die Penthode E F 9 ist eine Hoch- oder Zwischenfrequenzröhre mit max32 veränderlicher Steilheit, die auch als N.F.-Verstärker m it Widerstandskopplung verwendet werden kann, und zwar m it oder ohne Regelung der Verstärkung automatische Lautstärkeregelung, die auch die
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max32
z70u
R100000
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EUPEC DD 104 N 16
Abstract: EUPEC DD 105 N 16 L EUPEC DD 31 800 EUPEC DD 600 eupec dd 76 n 1200 EUPEC DD 171 N EUPEC DD 89 DD 85 N 1600 EUPEC DD 105 N 16 157000
Text: Type V rrm V r sm 'frm sm = V r rm blE D EUPEC Rectifier diode modules If s m / i 2d t Ifa vm ^ c 34Q32T? V TD Tt R th JC GEH « U P E C R thC K •tvj m a x Outline + 100 V A V 10 ms, 10 ms, t vj = tv i = ty j m ax tv j max f'.’j max fv j max 180 “el
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34Q32T?
EUPEC DD 104 N 16
EUPEC DD 105 N 16 L
EUPEC DD 31 800
EUPEC DD 600
eupec dd 76 n 1200
EUPEC DD 171 N
EUPEC DD 89
DD 85 N 1600
EUPEC DD 105 N 16
157000
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T5N 400
Abstract: KL42C T5N400 T7.5N T24N KL210 T235N T46N K017 t16 400
Text: E ^-AKTIENGESELLSCHAFT 17E D • 002=1415 7 ■ AEGG / Thyristoren für netzgeführte Stromrichter Thyristors for line-commutated converters Thyristors pour applications secteur Typ Typ0 Vdrm Vrrm Ji2dt hvWM/tc tyjmax 45°C •p“ 10ms «vp •vjmax 45°C
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10ID9
T5N 400
KL42C
T5N400
T7.5N
T24N
KL210
T235N
T46N
K017
t16 400
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: _PREMO CS0603 Features SMD Leadless small size inductor wound on high alumina ceramic bodies. High Q factor and self-resonance frequencies, allow excellent operation in G SM frequencies, DECT, cordless communications, wireless LANs, etc.
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CS0603
6nH-390nH)
CS0603
CS0603-
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cs0603
Abstract: JG35
Text: _ P R E M O CS0603 Features SMD Leadless small size inductor wound on high alumina ceramic bodies. High Q factor and self-resonance frequencies, allow excellent operation in G SM frequencies, DECT, cordless communications, wireless LANs, etc.
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CS0603
6nH-390nH)
code235
CS0603-
CS0603
JG35
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dd 127 dd 127 d
Abstract: No abstract text available
Text: Rectifier Diode Modules Type V rrm I frmsm Ifsm V A VRSM = VRRM A 10 ms, + 100 V ^vjmax J i2dt A2s 10ms, •103 rT I fAVM^c V TO A/°C V mQ tvj = tij = ^vj max max RthJC RfhCK tvj max °c/w °C /W °C outline 180° el sin Baseplate = 20 mm DD 31 N 800.1600
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DD 127 D
Abstract: DD 31 N 800 K DD 65 N 800 K dd 127 dd 127 d dd 61 n 600 dd 127 DD 90 QDD2172 DD 61 N 800 K DD 105 N 16 L
Text: Rectifier Diode Modules Type V rrm I frmsm Ifsm V VRSM = VRRM + 100 V A A 10 ms, ^vjmax J i2dt A2s 10ms, •103 I fAVM^c V TO A /°C V rT RthJC RfhCK tvj max °C /W °C outline tvj = ^vj max tij = max ° c /w 180° el sin 0,8 7 1,2 0,2 150 77 0,75 3,1 0,78
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00D2173
DD 127 D
DD 31 N 800 K
DD 65 N 800 K
dd 127 dd 127 d
dd 61 n 600
dd 127
DD 90
QDD2172
DD 61 N 800 K
DD 105 N 16 L
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EAF42
Abstract: ech41 philips EAF 42 ECH 42 philips diagram fr 310 Philips schema philips fr 310 RG211 ECH42 390SV
Text: IËÂF42 PHILIPS DIODE-PENTODE with variable mutual conductance for use as R.F., I.F. or A.F. amplifier DIODE-PENTHODE à pente variable pour l'utilisation comme amplificatrice H.F., M.F. ou B.F. DIODE-PENTODE mit veränderlicher Steilheit zur Ver wendung als HF-, ZF- oder NF-Verstärker
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EAF42
7R02634
110kil
EAF42
ech41
philips EAF 42
ECH 42
philips diagram fr 310
Philips schema
philips fr 310
RG211
ECH42
390SV
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c 565-2
Abstract: 3X050-10-7 2X03-X-X
Text: Pulse-FEE A T E C H N I T R O L C O M P A N Y FE 2 X Series Current compensated Noise Supression Chokes Inductances compensées d'antiparasitage Key Features Electrical spe cificatio n a t 25°C L±30% mH Caractéristiques Basic Part N o 3,3 6,8 10 15 18
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FE2X03
FE2X07
FE2X10
FE2X15
FE2X18
FE2X27
FE2X39
FE2X47
PF500
c 565-2
3X050-10-7
2X03-X-X
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