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w803 Abstract: FW803 Text: FW803 Ordering number : ENA0652 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET FW803 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.	Original	PDF	FW803 ENA0652 1200mm20 PW10s A0652-4/4 w803 FW803
FW803 Abstract: w803 A0652 Text: FW803 注文コード No. N A 0 6 5 2 三洋半導体データシート N FW803 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・4V 駆動。・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能。	Original	PDF	FW803 1200mm2 IT10017 1200mm2 PW10s IT07598 FW803 w803 A0652
FSS802 Abstract: No abstract text available Text: FSS802 注文コード No. N 8 0 4 4 三洋半導体データシート N FSS802 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・4V 駆動。絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃	Original	PDF	FSS802 1200mm2 IT07985 IT04083 1200mm IT07598 IT04085 FSS802
FSS802 Abstract: No abstract text available Text: FSS802 Ordering number : ENN8044 N-Channel Silicon MOSFETs FSS802 General-Purpose Switching Device Applications Features • • Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage	Original	PDF	FSS802 ENN8044 1200mm2 PW10s PW10s) FSS802
FSS802 Abstract: ATI 12A - 11 TA72 ID12A Text: FSS802 注文コード No. N 8 0 4 4 FSS802 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・4V 駆動。絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目記号	Original	PDF	FSS802 1200mm2 IT07985 IT04083 1200mm IT07598 IT04085 FSS802 ATI 12A - 11 TA72 ID12A