bpw 104
Abstract: photodiode 1100 nm 104 b diode diode 22 16 BPW 34 FAS BP 104 FAS
Text: SI-FOTODETEKTOREN Package Type SILICON PHOTODETECTORS ϕ Radiant sensitive area deg. mm2 IP λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2, VR = 5 V µA IR (VR = 10 V) λ10% tr,tf (VR = 20 V, RL = 50 Ω) nA nm ns 2.2 SMT-Dioden 2.2 SMT-Diodes (cont’d) 2.2.2 SMT-PIN-Fotodioden mit Filter
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Original
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PDF
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Q62702-P1646
Q62702-P1604
Q62702-P463
E9087
Q62702-P1826
Q62702-P1829
Q62702-P1795
Q62702-P5030
Q62702-K47
Q62702-P5313
bpw 104
photodiode 1100 nm
104 b diode
diode 22 16
BPW 34 FAS
BP 104 FAS
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cDFN6
Abstract: foto transistor TO18 G003 G100 4513-2 IC-LQNP
Text: iC-LQNP PULS- UND WECHSELLICHTSENSOR Ausgabe B1, Seite 1/10 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ Schneller, rauscharmer Stromverstärker mit integrierter Fotodiode ♦ Hohe Störsicherheit durch monolithischen Aufbau ♦ Aktive Fotodiodenfläche ca. 1 mm² ♦ Geeignet für den Bereich des sichtbaren Lichts und des nahen
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Original
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O18-4
O18-4L
O18-4F
cDFN6
foto transistor
TO18
G003
G100
4513-2
IC-LQNP
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Schieberegister
Abstract: LF3C LF2C zeilensensor foto transistor iC-LF1401 G003 TSL1401 analoge schaltkreise
Text: iC-LF1401 128x1-ZEILENSENSOR Ausgabe B1, Seite 1/10 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ 128 aktive Pixel mit Fotodioden der Größe 56 µm x 200 µm im 63.5 µm Raster 400 DPI ♦ Integrierende Licht-Spannungswandlung mit nachgeschalteter Sample-and-Hold-Schaltung
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Original
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iC-LF1401
128x1-ZEILENSENSOR
TSL1401
Schieberegister
LF3C
LF2C
zeilensensor
foto transistor
iC-LF1401
G003
TSL1401
analoge schaltkreise
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BPW34S
Abstract: Q62702-P1794 bpw 104
Text: SI-FOTODETEKTOREN Package Type SILICON PHOTODETECTORS ϕ Radiant sensitive area deg. mm2 IP λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2, VR = 5 V µA IR (VR = 10 V) λ10% tr,tf (VR = 20 V, RL = 50 Ω) nA nm ns 2.2 SMT-Dioden 2.2 SMT-Diodes 2.2.1 SMT PIN Fotodioden 2.2.1 SMT-PIN Photodiodes
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Original
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PDF
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Q62702-P1605
Q62702-P1602
E9087
Q62702-P1790
Q62702-P1601
Q62SMT-Dioden
BPW34S
Q62702-P1794
bpw 104
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foto transistor
Abstract: CMOS schaltkreise 4 bis 20 mA stromquelle IC-HAUS G003 Applikationsh TO18-4F Fotodiode
Text: iC-VDK WECHSELLICHTSENSOR MIT SCHALTER EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ Hohe Zuverlässigkeit und Störsicherheit durch monolithischen Aufbau ♦ Aktive Fotodiodenfläche von 1mm² ♦ Richtcharakteristik durch Sammellinse ♦ Geeignet für den Bereich des sichtbaren Lichts und des
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Original
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O18-4L
foto transistor
CMOS schaltkreise
4 bis 20 mA stromquelle
IC-HAUS
G003
Applikationsh
TO18-4F
Fotodiode
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Q62702-K0244
Abstract: k0244 KOM2108 diode bzw 06
Text: KOM 2108 KOM 2108 feo06868 NEU: 5 x 5-Silizium-PIN-Fotodiodenarray NEW: 5 × 5 Silicon PIN Photodiode Array Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Geeignet im Bereich des sichtbaren Lichts
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Original
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feo06868
Q62702-K0244
k0244
KOM2108
diode bzw 06
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fotodiode
Abstract: foto transistor Fotodiode array ir SMD Dioden foto fotodiode array DPB 500
Text: iC-OR 5-FACH FOTODIODEN-ARRAY EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ Monolitisch integrierte Fotodioden ♦ Hoher Gleichlauf ♦ Hohe Fotoempfindlichkeit im Bereich des sichtbaren Lichts und des nahen Infrarots ♦ Kleiner Dunkelstrom ♦ Diodenfläche 0.95x0.74mm2
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Original
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74mm2
74mm2)
fotodiode
foto transistor
Fotodiode array ir
SMD Dioden
foto
fotodiode array
DPB 500
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256x1-ZEILENSENSOR
Abstract: Schieberegister TSL1402 256x1 iC-LFL1402 G003 LFL1402
Text: ar y n i im prel iC-LFL1402 256x1-ZEILENSENSOR Ausgabe A3, Seite 1/8 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ 256 aktive Pixel mit Fotodioden der Größe 56 µm x 200 µm, lückenlos und verzerrungsfrei im 63.5 µm-Raster 400 DPI ♦ Integrierende Licht-Spannungswandlung mit Sample-and-Hold
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Original
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iC-LFL1402
256x1-ZEILENSENSOR
TSL1402
256x1-ZEILENSENSOR
Schieberegister
TSL1402
256x1
iC-LFL1402
G003
LFL1402
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Schieberegister
Abstract: OPTO 701 Schieberegister encoder NDIR sensor circuit E001 G003 monoflop schiebe konstant stromquelle K1621
Text: iC-LV 5-BIT OPTO ENCODER Ausgabe A3, Seite 1/12 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN Ë Ë Hoher Gleichlauf und technische Zuverlässigkeit durch monolithischen Aufbau mit integrierten Fotodioden Gleichlichtbewertete Abtastung mit 600 µm Spurabstand Fotostromverstärker mit hoher Grenzfrequenz
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Original
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Schieberegister
Abstract: cDFN10 fotodiode lfl1c G003 I002 ALS 32 analoge schaltkreise
Text: ar y n i im prel iC-LFS 32x1-ZEILENSENSOR Ausgabe A1, Seite 1/9 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ 32 aktive Pixel mit Fotodioden der Größe 56 µm x 200 µm, lückenlos und verzerrungsfrei im 63.5 µm-Raster 400 DPI ♦ Integrierende Licht-Spannungswandlung mit Sample-and-Hold
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Original
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32x1-ZEILENSENSOR
cDFN10
clearDFN10
Schieberegister
cDFN10
fotodiode
lfl1c
G003
I002
ALS 32
analoge schaltkreise
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS 6fach-Silizium-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon Photodiode Array KOM 2033 A KOM 2033 AF Maße in mm, w enn nicht anders a ngegeben/D im ensions in mm. unless otherw ise specified W esentliche M erkm ale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im
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0235bGS
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PHOTOVOLTAIC CELL
Abstract: Din 5033 fotodiode BPW12 high sensitivity photodiode visible light "PHOTOVOLTAIC CELL"
Text: Silizium-PN-Planar-Fotoelement/Fotodiode Silicon PN Planar Photovoltaic Cell/Photodiode Anwendung: Empfänger in elektronischen Steuer- und Regeleinrichtungen Application: Detector in electronic control and drive circuits Besondere Merkmale: • Für Fotodioden- und Fotoelem ent-Betrieb
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BPW12
PHOTOVOLTAIC CELL
Din 5033
fotodiode
BPW12
high sensitivity photodiode visible light
"PHOTOVOLTAIC CELL"
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2057
Abstract: siemens im 365
Text: SIEMENS 3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip Silicon Photodiode Array KOM 2057 L 7.8 7 -4 6.5 6.3 ^ ¡ - I in m ° LICS'— r in o 0.20 i io fd 7.62m m spacing 7.62 Circuit diagram Plastic Pin flesh X| x 8 7 l 6 5 / m a r k in g 7J J / " 1 2 3 4 5 6 7
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D066455
2057
siemens im 365
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Q62702-P1606
Abstract: fotodioden BP 104 FAS
Text: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors 6.2 PIN Fotodioden Type *ab 4/95 (*asof 4/95) <l> Radiant sensitive area h ^R Fig. 2.2x2.2 55 (>40) 2 (£30) 400. 1100 20ns/50i! Q62702-P1605 28 ±60 2 65x2.65 2 (£ 3 0 ) 400. .1100 20ns/50ii Q62702-P1602 27 BPX90S
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20ns/50i!
20ns/50ii
Q62702-P1605
Q62702-P1602
BPX90S
Q62702-P1669
CSFH325FA)
950nm,
Q62702-P961
Q62702-P389
Q62702-P1606
fotodioden
BP 104 FAS
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SFH100
Abstract: germanium photodiode PIN fotodioden BPY12 SFH231 fotodiode Q62702-P1052 400nm photodiode germanium BPW 61
Text: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors 7. Fotodioden für spezielle Wellenlängen Package Type <6 Radiant sensitive 7. Photodiodes for Special Wavelengths s, ^•Smax W e10V 7.1 mm2 A/W nA UV-empfindliche Fotodiode SFH291 7.2 ±55 2.73x2.73 0.3 (£ 1 )/5 V
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SFH291
Q62702-P1038
BPX60
400nm)
Q62702-P54
ns/50
Q62702-P945
SFH100
25niWicm)
BPX61
SFH100
germanium photodiode PIN
fotodioden
BPY12
SFH231
fotodiode
Q62702-P1052
400nm
photodiode germanium
BPW 61
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: S il ic o n P h o t o d e t e c t o r s <P deg. R adiant sensitive area mm2 /p X = 950 nm, = 1 m W /cm 2, VR = 5 V HA ^•10% ■R iy „ = io V) nm nA 2.2 SMT-Dioden 2.2 2.2.1 SMT PIN Fotodioden 2.2.1 SMT-PIN Photodiodes 2.2 X 2.2 t„r, (V'„ = 2 0 V.
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62702-P
62702-P1602
Q62702-P1601
62702-K
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PHOTOVOLTAIC CELL
Abstract: "PHOTOVOLTAIC CELL" bpw20 photovoltaic cell sensor photovoltaic sensor BPW 10 nf fotodiode 74138 DIN5033 0175A1
Text: BPW 20 'W Silizium-PN-Planar-Fotoelement/Fotodiode Silicon PN Planar Photovoltaic Cell/Photodiode Anwendung: Sensor für die Lichtmeßtechnik Application: Sensor for light m easuring purposes Besondere Merkmale: Features: • Für Fotodioden- und Fotoelem ent-Betrieb
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5033/IEC
PHOTOVOLTAIC CELL
"PHOTOVOLTAIC CELL"
bpw20
photovoltaic cell sensor
photovoltaic sensor
BPW 10 nf
fotodiode
74138
DIN5033
0175A1
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Q627021
Abstract: No abstract text available
Text: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors 4. PIN-Fotodioden Package Type C vorher * formerly) 4. PIN Photodiodes <f> deg. Radiant sensitive area mm2 950 nm, E , = 1 mW/cm2. K„ = 5 V ) HA (X = 4.1 im klaren Plastikgehäuse B PW 34 ^•10% l? (!'■„= 10 V)
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Q62702-P73
Q62702-P129
Q62702-P1051
Q62702-P273
Q62702-P1677
Q62702-1129
Q62702-P84
Q62702-P929
Q62702-P102
Q627021
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k 2057
Abstract: 2057
Text: SIEMENS 3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip Silicon Photodiode Array 7.8 —1 7.4 i— 6.5 . 6.3 KOM 2057 L o o ° j° 0 .3 0 1 0.20 7.6 2 m m spocing C ircu it d ia g ra m 3 4 Plastic fla s h \, 5 6 7 8 —I— 5 / m a r k in g BEEf 25 a Ib .e Pin 8 7 6
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GE006429
k 2057
2057
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Inhaltsverzeichnis Typenübersicht Symbolverzeichnis Table of Contents Selector Guide Symbols and Term Technische Erläuterungen Technical Information Fotoelemente Photovoltaic Cells Fototransistoren Phototransistors Fotodioden Photodiodes Kundenspezifische
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silizium diode
Abstract: scintillation radiation detector SFH 873 radiation detector chip sfh 520
Text: Technische Erläuterungen SIEMENS u-p-y-Strahlungsdetektoren Für die M essung hochenergetischer Strahlung hat Siem ens sein Fotodiodenspektrum um Teilchendetektoren erweitert. Es stehen Detektoren mit vier verschiedenen aktiven Flächen SFH 520 bis SFH 523 auf einer kleinen Leiterplatte zur Verfügung. Die Detektoren sind auch als
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F02250
silizium diode
scintillation radiation detector
SFH 873 radiation detector chip
sfh 520
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS 6fach-Silizium-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon Photodiode Array KOM 2100 A KOM 2100 AF Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1070 nm KOM
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fl23SbGS
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS 4-Quadranten-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 4-Chip Silicon PIN Photodiode Array KOM 2085 Maße in mm, w enn nicht anders a ngegeben/D im ensions in m m , unless otherw ise specified. W esentliche M erkm ale Features • • • Speziell geeignet für Anwendungen im
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E35bG5
GD5771B
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS 4-Quadranten-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 4-Chip Silicon PIN Photodiode Array KOM 2084 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm
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0S7707
fl235L>
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