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Abstract: No abstract text available
Text: Dual N-channel MOSFET ELM36800EA-S •General description ■Features ELM36800EA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=30V Id=3.5A Rds(on) < 68mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 98mΩ (Vgs=4.5V)
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Original
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ELM36800EA-S
ELM36800EA-S
P6803HAG
OCT-12-2005
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Text: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM36800EA-S •概要 ■特長 ELM36800EA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Vds=30V ・ Id=3.5A MOSFET です。 ・ Rds on < 68mΩ (Vgs=10V)
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Original
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ELM36800EA-S
OCT-12-2005
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ELM36800EA
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Text: 双 N 沟道 MOSFET ELM36800EA-S •概要 ■特点 ELM36800EA-S 是 N 沟道低输入电容低工作电压、 •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=3.5A ·Rds on < 68mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 98mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值
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ELM36800EA-S
OCT-12-2005
ELM36800EA
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Text: Dual N-channel MOSFET ELM36800EA-S •General description ■Features ELM36800EA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=30V Id=3.5A Rds(on) < 68mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 98mΩ (Vgs=4.5V)
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ELM36800EA-S
ELM36800EA-S
P6803HAG
OCT-12-2005
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