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复合 Abstract: ELM35601KA Text: 复合沟道 MOSFET ELM35601KA-S •概要 ■特点 ELM35601KA-S 是低输入电容低工 N 沟道作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=40V P 沟道 ·Vds=-40V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A ·Id=-5.5A	Original	PDF	ELM35601KA-S P2804ND5G O-252-5 SEP-16-2005 复合 ELM35601KA
Untitled Abstract: No abstract text available Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM35601KA-S •概要 ■特長 ELM35601KA-S は低入力容量 N チャンネル P チャンネル低電圧駆動、低オン抵抗という特・ Vds=40V 性を備えた大電流 MOSFET です。・ Id=7A	Original	PDF	ELM35601KA-S P2804ND5G O-252-5 SEP-16-2005
P2804ND5G Abstract: No abstract text available Text: Complementary MOSFET ELM35601KA-S •General Description ■Features ELM35601KA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=40V Id=7A Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 49mΩ(Vgs=5V)	Original	PDF	ELM35601KA-S ELM35601KA-S P2804ND5G O-252-5 SEP-16-2005 P2804ND5G
transistor 123 DL Abstract: No abstract text available Text: Complementary MOSFET ELM35601KA-S •General Description ■Features ELM35601KA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=40V Id=7A Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 49mΩ(Vgs=5V)	Original	PDF	ELM35601KA-S ELM35601KA-S P2804ND5G O-252-5 SEP-16-2005 transistor 123 DL