BP 104 FAS
Abstract: BP 104 FASR
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FASR BP 104 FAS BP 104 FASR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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1100nm
BP 104 FAS
BP 104 FASR
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GEOY6861
Abstract: GPLY7049 OHFD1781 BP 104 FAS BP 104 FASR
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FASR BP 104 FAS BP 104 FASR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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1100nm
GEOY6861
GPLY7049
OHFD1781
BP 104 FAS
BP 104 FASR
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BP104
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
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Original
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Q62702-P0084
Q62702-P2627
BP104
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OHFD1781
Abstract: OHF01430 Q65110A2672 GEOY6861 BP 104 FAS
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FAS (R18R) BP 104 FAS BP 104 FAS (R18R) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm
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Original
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Q65110A2627
Abstract: GEOY6075 GEOY6861 OHFD1781
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
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Original
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foto transistor
Abstract: BP104 BP-104 316 BP BP 34 datasheet Q62702-P84 S3425 DIL 330 DIODE BP Q62702-P1605
Text: BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS feo06861 feo06075 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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feo06861
feo06075
foto transistor
BP104
BP-104
316 BP
BP 34 datasheet
Q62702-P84
S3425
DIL 330
DIODE BP
Q62702-P1605
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GEOY6861
Abstract: GPLY7049 Q65110A2626
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 S BP 104 SR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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Q65110A2626
Q65110A4262
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Q65110A2626
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 S (R18R) BP 104 S (R18R) BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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Q65110A2626
Q65110A2626
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GEOY6075
Abstract: GEOY6861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm Kurze Schaltzeit typ. 20 ns
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Original
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BP 40 Datenblatt
Abstract: No abstract text available
Text: 2012-10-15 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 BP 104 S, BP 104 SR BP 104 S BP 104 SR Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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Original
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D-93055
BP 40 Datenblatt
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GEOY6075
Abstract: GEOY6861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
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Original
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GEOY6075
GEOY6861
GEOY6075
GEOY6861
OHFD1781
Q62702-P1646
Q62702-P84
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Fotodiode
Abstract: GEO06075 GEO06861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84 BP104FS BP104F
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
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Original
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GEO06075
GEO06861
Fotodiode
GEO06075
GEO06861
OHFD1781
Q62702-P1646
Q62702-P84
BP104FS
BP104F
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BP 104 FAS
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FAS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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GEO06075
Abstract: GEO06861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84 BP104
Text: 5.4 4.9 4.5 4.3 0.8 0.6 0.6 0.4 2.2 1.9 Chip position 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BP 104 F BP 104 FS feo06075 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT 0.6 0.4 0.8
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Original
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feo06075
feo06861
GEO06075
GEO06861
OHFD1781
OHF01778
OHF00082
OHF01402
GEO06075
GEO06861
OHFD1781
Q62702-P1646
Q62702-P84
BP104
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OHF00078
Abstract: Q65110A2626 GEOY6861 J-STD-020B OHLA0687
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Geeignet für Vapor-Phase Löten und
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Original
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Q65110A2626
200any
OHF00078
Q65110A2626
GEOY6861
J-STD-020B
OHLA0687
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P781
Abstract: Q62702-P75 foto transistor Q62702-P79-S2 Q62702-P79-S1 Q62702-P79-S4 200 BP
Text: BP 103 BP 103 fet06017 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm
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Original
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fet06017
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
P781
Q62702-P75
foto transistor
Q62702-P79-S2
Q62702-P79-S1
Q62702-P79-S4
200 BP
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P781
Abstract: bp 103-5 BF900 B 103 Fotodiode fototransistor led SFH 212 transistor b 103 marking BP LED Q62702-P79-S2
Text: BP 103 BP 103 fet06017 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm
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fet06017
ICEO/ICEO25o
IPCE/IPCE25o
P781
bp 103-5
BF900
B 103
Fotodiode
fototransistor led
SFH 212
transistor b 103
marking BP LED
Q62702-P79-S2
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BPX48
Abstract: SFH291 SFH100 fh205 BPW-21 SFH 314 fotodioden SFH317 bpx90 SFH2030
Text: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors Typenübersicht Summary of Types 1. Integrierter Empfänger Integrated Receiver 2. Fototransistoren Phototransistors S ' y •- S BP 103 SFH 302 S F H 50 6 BPX81 BPX 83 SFH 305 V BP X 90/F BPX 38 BP 103 B/BF SFH 313/FA
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313/FA
314/FA
BPY62
BPX81
310/FA
303/F
317/F
213/FA
214/FA
BPX48/F
BPX48
SFH291
SFH100
fh205
BPW-21
SFH 314
fotodioden
SFH317
bpx90
SFH2030
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT BP 104 F BP 104 FS in o coo o spacing Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm Approx. weight 0.1 G E006075 CO 2.20 mm x 2.20 mm
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E006075
GE006861
BP104
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT BP 104 F BP 104 FS in o CO o o spacing Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm Approx. weight 0.1 g 2.20 mm x 2,20 mm GE006075 CD CO
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GE006075
GE006861
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BP104F
Abstract: BP photodiode
Text: 5835 SIEMENS *BP 104F SURFACE MOUNT BP 104FS SILICON PIN PHOTODIODE DAYLIGHT FILTER Package Dimensions in Inches mm .0 4 3 ( 1. 1) . 2 1 2 ( 5 .4 ) .0 4 3 ( 1. 1) ' .0 3 5 ( 9 ) .0 4 7 ( 1.2 ) .012 (. 3 ) .024 (. 6) 016 (. 4 )" Photosensitive q— p / a rea=A
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104FS
BP104FS
BP104F
BP photodiode
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silicon PIN photodiode with daylight filter
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS 5.4 4.9 p cN <cr> 4.51 4 .0 I 3'7!" ~P 4 .3 T O O i |1[ BP 104 F BP 104 FS feo06075 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT Í T 0.8 Ó.6 0 .5 Ö.3 0J5 * 0 .5 0.20 5 .0 8 m m
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30nte
silicon PIN photodiode with daylight filter
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