led blinker timer
Abstract: Etd-sl-1t-dtf UL508-4
Text: ETD-SL-1T-DTF Multifunktionales Zeitrelais mit einer einstellbaren Zeit INTERFACE Datenblatt 102571_de_03 1 PHOENIX CONTACT - 04/2008 Beschreibung Die Anforderungen an Sicherheit und Anlagenverfügbarkeit steigen ständig – gleich in welcher Branche. Neben dem
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BP 40 Datenblatt
Abstract: No abstract text available
Text: 2012-10-15 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 BP 104 S, BP 104 SR BP 104 S BP 104 SR Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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Original
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D-93055
BP 40 Datenblatt
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bp 103-5
Abstract: BP 103-3 bp 103-2 200 BP
Text: 2008-10-28 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Applications • • • • Anwendungen Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Computer-controlled flashes •
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x00E4
x03BB]
Q62702P0075
Q62702P3577
x00FC
x00F6
bp 103-5
BP 103-3
bp 103-2
200 BP
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BP 103-3
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BP 103 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed, Epoxy • Special: Base connection
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D-93055
BP 103-3
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BP 103-3
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-04 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BP 103 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • Package: Metal Can TO-18 , hermetically sealed, Epoxy • Special: Base connection • High linearity
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Original
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D-93055
BP 103-3
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JEDEC J-STD-020d.01
Abstract: BP 104 FAS
Text: 2007-04-18 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 FAS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 730 nm. 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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D-93055
JEDEC J-STD-020d.01
BP 104 FAS
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BP 103-3
Abstract: No abstract text available
Text: 2008-10-28 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Applications • • • • Anwendungen Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Computer-controlled flashes •
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x00E4
x03BB]
Q62702P0075
Q62702P3577
x00FC
x00F6
BP 103-3
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-17 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 BP 104 F Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications of 950 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
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D-93055
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BP 104 FASR
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-18 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 FASR Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 730 nm. 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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Original
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D-93055
BP 104 FASR
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2009-04-07 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 FS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications of 950 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
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Original
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2009-04-07 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 F Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications of 950 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
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Q62702P0084
D-93055
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DM162-4A
Abstract: DP20-13AR DP35-13AR ea 7242 DP40-18AR dp352 DP-45 DP35-13A dp602 DP37-13AR
Text: LCD-STANDARDGLÄSER 4.2003 LCD-STANDARDGLÄSER EA DM162-4A EA DL41-7A EA DL42-9A LO BAT EA DP40-25A EA DL60-9A EA DP35-13A LC-Glas Typ EA DP20-13AR Stellen Zeichen Abmessung passender zahl höhe B x H [mm] Rahmen 2 13 mm 28,0 x 30,5 Zubehör: Beleuchtung Kontaktierung
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DM162-4A
DL41-7A
DL42-9A
DP40-25A
DL60-9A
DP35-13A
DP20-13AR
LG50x23-A
LF-03
DP35-13AR
DM162-4A
DP20-13AR
DP35-13AR
ea 7242
DP40-18AR
dp352
DP-45
DP35-13A
dp602
DP37-13AR
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-16 GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.1 SFH 464 E7800 Features: Besondere Merkmale: • Radiation without IR in the visible red range • Cathode is electrically connected to the case • • • • • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil
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E7800
D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2008-08-11 GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.0 SFH 464 E7800 Features: Besondere Merkmale: • Radiation without IR in the visible red range • Cathode is electrically connected to the case • • • • • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil
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E7800
D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-12-07 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 242 Features: Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Cathode is electrically connected to the case • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
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D-93055
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STR G 8654
Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date
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tda 6109
Abstract: V23100-V7228-F110 B32650 V23100-V7213-F104 V23100-W1224-A104 V23082-A1005-A401 V23108-A1003-B101 V23104-A1003-B101 V23100-V7228-F104 B32110-F
Text: Katalognummern-Referenz: SCHURICHT-Nummern ⇔ SIEMENS-Nummern Da im Katalog aus drucktechnischen Gründen die Siemensnummern oft nicht zusammenhängend – sondern in Produktgruppen- und Einzelexemplar-Teil aufgetrennt – dargestellt sind, finden Sie hier in einer großen Tabelle für jedes Bauteil die SCHURICHT- und die SIEMENS-Nummern
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B57236S509M"
Q67000A8118
Q67000A8183
Q67000A9094
Q670008237
Q67000A9108
Q67000A9062
Q67000A8187
Q67000A9003
Q67000A9059
tda 6109
V23100-V7228-F110
B32650
V23100-V7213-F104
V23100-W1224-A104
V23082-A1005-A401
V23108-A1003-B101
V23104-A1003-B101
V23100-V7228-F104
B32110-F
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laserdiode 820 nm
Abstract: "green laser diode" 532 nm laser diode flexpoint collimator FP 801 laser diode 635 nm laser diode 780 nm laser diode module 820 nm laserdiode application
Text: FLEXPOINT Laserdiodenmodule 532 nm – 905 nm und Zubehör Laser Diode Modules 532 nm – 905 nm and Accessories Produktübersicht Short form catalog Inhaltsverzeichnis Table of content Inhaltsverzeichnis Allgemeine Beschreibung 1 Besondere Merkmale 2 Übersicht / Strahlprofile
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D-82140
laserdiode 820 nm
"green laser diode"
532 nm laser diode
flexpoint
collimator
FP 801
laser diode 635 nm
laser diode 780 nm
laser diode module 820 nm
laserdiode application
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isl 6251 schematic
Abstract: smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs
Text: SIEMENS Halbleiter-Datenblätter Im Produktbereich „Halbleiter“ konnten uns leider von SIEMENS nicht alle Daten rechtzeitig zur Verfügung gestellt werden. Wir werden uns bemühen, die Auswahl an Datenblättern dieses Bereichs für die nächste Ausgabe dieser CD zu vervollständigen.
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Q62702-A772
Q62702-A731
Q62702-A773
OT-23
isl 6251 schematic
smd transistor A4S
Siemens OFW 361
smd marking b4h
6Bs smd transistor
NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG
Transistors Diodes smd A7H
a4s smd transistor
npn transistor ss100
smd transistor 6Bs
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J-STD-020D
Abstract: OHAY0324 LUW JNSH.EC-BRBT-5C8E-1
Text: DURISTM E 3 LUW JNSH.EC Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse, farbiger Silikon Verguss • Besonderheit des Bauteils: Bauform mit kleinen Abmessungen 3,0 x 1,4 x 1,2 mm³ LxBxH , hohe Effizienz, lange Lebensdauer
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6500K
2000/Rolle,
JESD22-A114-D
J-STD-020D
OHAY0324
LUW JNSH.EC-BRBT-5C8E-1
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Q65111A1684
Abstract: Q65111A1695 BQ 6100 LCW JNSH.EC-BSBU-5H7I-1 LCW JNSH.EC
Text: 2012-02-15 DURIS E 3 Datasheet Version 1.1 - OS-IN-2012-04 LCW JNSH.EC The DURIS E 3 combines high efficacy and a wide beam angle into a compact format 3.0 mm x 1.4 mm . This is key to homogeneous illumination applications where the DURIS™ E 3 never fails to impress with its
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OS-IN-2012-04
D-93055
Q65111A1684
Q65111A1695
BQ 6100
LCW JNSH.EC-BSBU-5H7I-1
LCW JNSH.EC
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: LED Signalleuchten Einbaudurchmesser 14mm blinkend mit 500mm langen Anschlußleitungen LED Indicators Body diameter 14mm flashing with 500mm leads - Schnellbefestigung durch Einrastmontage in eine Bohrung von 0 14 + 0,2mm in Montageplatten mit einer Stärke von 1 bis 3mm
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500mm
D-67098
1982010X5X500
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: transistor vergleichsliste u82720 Datenblattsammlung VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung je 3055 Motorola mikroelektronik DDR Transistor Vergleichsliste DDR
Text: íx}i3í iu ]9n;g'q s p o s i l i o j p j S j © DNmiAf W¥S±±na N31¥Q >l!UDüq>|! ZUR B E A C H T U N G Die vorliegenden Datenblätter beinhalten ausführliche technische Angaben von aktiven elektronischen Bauelementen des in den "Listen Elektronischer Bauelemente und Bausteine" LEB)
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R-1035
Halbleiterbauelemente DDR
transistor vergleichsliste
u82720
Datenblattsammlung
VEB mikroelektronik
aktive elektronische bauelemente ddr
mikroelektronik datenblattsammlung
je 3055 Motorola
mikroelektronik DDR
Transistor Vergleichsliste DDR
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0.1 uf Ceramic disc Capacitors 104
Abstract: No abstract text available
Text: E1N UNTERNEHMEN VON Allgemeine Angaben General Features Roederstein Scheibenkondensatoren Disc capacitors 4. NDK- Massen 4. NDK Specifications Temperaturabhangigkeit der Kapazitat fiir Klasse 1/NDKKeramik-Kondensatoren: Da die Temperaturanderung der Kapa
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kV250
0.1 uf Ceramic disc Capacitors 104
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